裂纹的直接原因可归纳为单晶硅片的设备压力或内应力。PID效应：电位差引起的衰减系数效应是充电电池组件在高压效应下的长时间走漏电流，使夹层玻璃和封装原材料之间存在很多正电荷，促进充电电池外表钝化处理的实际效果恶化，
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